摘要：英特尔晶圆代工联合 ASML 官宣，其 High-NA 高数值孔径 EUV 累计处理 300mm 晶圆突破 100 万片。

关键词：工业防潮柜，EUV晶圆，MSD烘烤箱

　　尚鼎除湿撰：半导体先进光刻赛道迎来里程碑进展。英特尔晶圆代工联合 ASML 官宣，其 High-NA 高数值孔径 EUV 累计处理 300mm 晶圆突破 100 万片，用时不到两年半，处理总量超过全球其余 High-NA EUV 用户总和，标志下一代 EUV 光刻正式从研发试点迈向规模化量产阶段。

这批百万片晶圆覆盖设备认证、工艺研发、小批量量产等环节，High-NA EUV 已落地 Intel 18A 制程，用于酷睿 Ultra 3（Panther Lake）处理器部分光刻层制造。对比传统 0.33NA EUV，High-NA EUV 数值孔径提升至 0.55，光刻图形更精细，可减少多重曝光工序，提升晶体管密度，是 2nm 及以下先进制程的核心基础设施。英特尔当前部署 2 台 ASML EXE:5000 原型机 + 至少一台 EXE:5200B 量产机型，同时推进 6×12 英寸超大光罩研发，进一步提升产能、降低制造成本。
先进制程芯片制造，光刻只是第一道关口。晶圆、光罩、光刻胶、MSD 湿敏元器件在车间流转、暂存环节，对湿度控制极其严苛。高 NA EUV 配套的光掩膜、裸晶圆、光刻后半成品一旦受潮，极易出现图形畸变、氧化、分层失效，直接导致昂贵晶圆报废，百万片级量产爬坡下，物料防潮管控压力成倍上升。
按照 JEDEC J-STD-033 标准，半导体湿敏器件、光罩、晶圆半成品需要超低湿环境存储，中断车间湿敏计时，规避爆米花失效、氧化缺陷。尚鼎快速超低湿防潮柜，稳定维持 1%~5% RH 超低湿环境，适配晶圆、光罩、MSL4~MSL6 高等级湿敏元器件存储，支持 CDA 充气式快速除湿，短时间完成舱内降湿，搭配防静电结构与物联网监控，适配先进晶圆厂无尘车间物料暂存需求，为 High-NA EUV 大规模量产配套物料防潮保障体系。
随着 High-NA EUV 产能持续爬坡，先进制程芯片出货量持续增长，晶圆厂对超低湿存储、湿敏元器件管控的需求将同步扩容。尚鼎防潮柜持续深耕半导体精密存储领域，以合规稳定的超低湿设备，助力先进光刻产业链稳定生产。

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